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吸收光能： 感光劑吸收曝光光線的能量，進入激發(fā)態(tài)。

化學變化： 激發(fā)態(tài)的感光劑與光刻膠中的其他化合物發(fā)生化學反應，導致局部的化學結構改變。

形成圖案： 經(jīng)過曝光后，通過顯影過程，只有發(fā)生化學變化的區(qū)域被保留下來，形成所需的圖案。

       不同類型的光刻膠可能使用不同的感光機理，但以上步驟提供了一般的概述。光刻膠的性能和效果對芯片制造的成功至關重要。負性光刻膠由感光材料+聚合物組合，光照射后進一步聚合，不溶于顯影液的有機溶劑，光照射區(qū)保留圖形。正性光刻膠由光分解劑和堿性可溶性樹脂及溶劑組成，為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛制成。光照射后氮氣脫離，變成酮結構。用堿性水溶液顯影變成水溶性的羥酸，然后被去除，即沒有被光照的區(qū)域留下圖形。

三、要求

中短波長段的可見光使光刻膠 感光，因此，光刻區(qū)域與普通潔凈室是隔開的，采用不會使光刻膠感光的照明光源，稱為黃光區(qū)。光刻膠涂布工藝時，轉(zhuǎn)速越高，薄膜厚度越薄；光刻膠黏度越高，薄膜厚度越厚。晶圓邊緣會出現(xiàn)膜厚稍厚的部分，為邊緣堆積，則需要進行邊緣沖洗，還要進行背面沖洗，防止光刻膠測流到晶圓背面。顯影工藝中負性光刻膠使用甲苯、乙酸乙酯顯影液，去除沒有發(fā)生光聚合反應的部分。正性光刻膠使用氫氧化銨顯影液，溶解被光照射的部分。