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晶圓級封裝與后膜光刻膠（上）
厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應(yīng)用于先進封裝技術(shù)中。焊接凸點需要很厚的光阻層和較高重復(fù)精度，但并不要求很陡的側(cè)壁傾角；金凸點和銅布線則要求中等厚度的光阻膜，而且對側(cè)壁的精度與傾角要求都很高。對于感光介電材料中的過孔而言，最好應(yīng)有傾斜的側(cè)壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤保持良好接觸。所有這些應(yīng)用均可采用貼近式掩膜整版曝光法以便經(jīng)濟地進行大批量生產(chǎn)。
來源:
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作者:pmoe2a7d5
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發(fā)布時間: 2024-01-22
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有報告指出，步進器的光學(xué)結(jié)構(gòu)會被曝光時產(chǎn)生的BCB揮發(fā)物污染。在作貼近印刷時，揮發(fā)物的濃度很低，不會形成污染。但如果有了污染，則應(yīng)經(jīng)常對掩模進行清理，曝光系統(tǒng)在任何時候都不應(yīng)靠近聚合物。在二次布線過程中，晶圓上面的BCB電介層可作為一種附加的保護層。該層內(nèi)的外圍電路焊盤都是開路的，銅線從電介層的頂部穿過BCB層上的通孔，將外圍電路與BCB層頂端的大焊盤陣列連接起來[2]。此時可以用較高直寬比的正性光阻材料，如AZ 9260或TOK PMER P-LA900PM等，這和前面金凸點部分一樣。
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