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全自動蝕刻機：
　　單片晶圓蝕刻設備不僅能夠甚至在產生氣體(蝕刻反應的副產品)的情況下通過振動所述晶圓來排放氣體，并且還可防止所述氣體吸附在所述晶圓的表面上。此外，由于所述單片晶圓蝕刻設備可對所述晶圓的各個區域進行直接加熱，所以甚至在由于蝕刻進行的同時蝕刻溶劑從所述晶圓的中心朝向圓周方向移動而導致蝕刻溫度從所述晶圓的中心朝向圓周方向逐漸增加的情況下，單片晶圓蝕刻設備可通過從圓周方向朝向所述晶圓的中心以溫度增加的方式進行加熱來均衡地維持反應溫度。因此所述單片晶圓蝕刻設備不僅能夠在所述晶圓的任何位置處維持均衡的蝕刻程度，并且還能夠提高平整度。

主要是蝕刻金屬膜等工藝：

晶圓尺寸（wafer size ）: 12inch

蝕刻腔體(Chamber): 2套

化學液體: H2SO4、HF、DMSO、NMP

單片晶圓蝕刻設備:

轉盤：所述轉盤具有穩固地布置在其上的晶圓，并且所述轉盤的直徑小于所述晶圓的直徑；

噴嘴：噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩固地布置在轉盤上的晶圓上；使所述轉盤旋轉的驅動裝置；

振動裝置，所述振動裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間振動所述轉盤。